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BS170

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

BS170 Fiche de données

compliant

BS170 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.61000 $0.61
10 $0.43000 $4.3
100 $0.28450 $28.45
500 $0.17022 $85.11
1,000 $0.13213 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 500mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 40 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 830mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-92-3
paquet / étui TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Numéro de pièce associé

FQNL2N50BTA
FQNL2N50BTA
$0 $/morceau
FQPF3N50C
IPP023N10N5AKSA1
IRF740ASPBF
IRF740ASPBF
$0 $/morceau
SI7101DN-T1-GE3
DMP3045LVT-13
NVMJS1D6N06CLTWG
NVMJS1D6N06CLTWG
$0 $/morceau
IXTT120N15P
IXTT120N15P
$0 $/morceau
NTR5103NT1G
NTR5103NT1G
$0 $/morceau
SIA4263DJ-T1-GE3

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