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EFC6612R-TF

EFC6612R-TF

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

non conforme

EFC6612R-TF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.38825 -
1959995 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonctionnalité FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 27nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 2.5W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-SMD, No Lead
package d'appareils du fournisseur 6-CSP (1.77x3.54)
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Numéro de pièce associé

DMC25D0UVT-7
SQJ960EP-T1_GE3
RF1K4915496
DMC4029SK4-13
AUIRF7316QTR
TPD3215M
TPD3215M
$0 $/morceau
DMNH6042SSDQ-13
DMN2028UFU-7

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