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FCHD190N65S3R0-F155

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FCHD190N65S3R0-F155

onsemi

MOSFET N-CH 650V 17A TO247

compliant

FCHD190N65S3R0-F155 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.01000 $5.01
500 $4.9599 $2479.95
1000 $4.9098 $4909.8
1500 $4.8597 $7289.55
2000 $4.8096 $9619.2
2500 $4.7595 $11898.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 17A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 390µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1350 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 144W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247-3
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IPP12CN10LGXKSA1
DMNH6008SCT
DMNH6008SCT
$0 $/morceau
FQI12N60TU
SI2315BDS-T1-BE3
STS13N3LLH5
STS13N3LLH5
$0 $/morceau
NTMFS4121NT1G
NTMFS4121NT1G
$0 $/morceau
NTP5864NG
NTP5864NG
$0 $/morceau
IXTH2N300P3HV
IXTH2N300P3HV
$0 $/morceau

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