Welcome to ichome.com!

logo
Maison

FCMT125N65S3

FCMT125N65S3

FCMT125N65S3

onsemi

MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN

compliant

FCMT125N65S3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.61325 -
6,000 $1.55260 -
320 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 24A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 590µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1920 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 181W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 4-PQFN (8x8)
paquet / étui 4-PowerTSFN
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

PMPB48EP,115
PMPB48EP,115
$0 $/morceau
DMN3030LSS-13
SQJ423EP-T1_GE3
IXTR32P60P
IXTR32P60P
$0 $/morceau
FQD4N50TF
NTE2396A
NTE2396A
$0 $/morceau
CDM22010-650 SL
HUFA75639S3ST
APT53N60BC6

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.