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FCPF190N60E

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F

non conforme

FCPF190N60E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.11000 $3.11
10 $2.82100 $28.21
100 $2.28240 $228.24
500 $1.79294 $896.47
1,000 $1.49931 -
493 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20.6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3175 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F-3
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

BTS132
BTS132
$0 $/morceau
RSQ020N03HZGTR
MCU80N06A-TP
NTTFS6H860NLTAG
NTTFS6H860NLTAG
$0 $/morceau
NDF06N60ZH
NDF06N60ZH
$0 $/morceau
IPD65R380C6ATMA1
FDS8874
FDS8874
$0 $/morceau
STB55NF06LT4
STB55NF06LT4
$0 $/morceau
AUIRFS4127TRL

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