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FDB28N30TM

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onsemi

MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

non conforme

FDB28N30TM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $1.22879 $983.032
1,600 $1.13266 -
2,400 $1.05872 -
5,600 $1.02174 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 300 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 28A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 129mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2250 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

RE1E002SPTCL
RE1E002SPTCL
$0 $/morceau
PSMN020-30MLCX
P3M06300K3
BSO083N03MSGXUMA1
SQJ872EP-T1_GE3
BUK761R7-40E,118
IRFB7787PBF
STB10N65K3
STB10N65K3
$0 $/morceau

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