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FDC6301N_G

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FDC6301N_G

onsemi

MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

non conforme

FDC6301N_G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 25V
courant - consommation continue (id) à 25°c 220mA
rds activé (max) à id, vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.7nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 9.5pF @ 10V
puissance - max 700mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
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Numéro de pièce associé

APTM60A23FT1G
2N7002DWKX-13
FMP76-010T
FMP76-010T
$0 $/morceau
IPG20N04S409AATMA1
FS03MR12A6MA1LB
MCH6606-TL-E
MCH6606-TL-E
$0 $/morceau
AON6884L
APTMC120HM17CT3AG

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