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FDC642P-F085

FDC642P-F085

FDC642P-F085

onsemi

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

non conforme

FDC642P-F085 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.25558 -
6,000 $0.23909 -
15,000 $0.22260 -
30,000 $0.21106 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 640 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.2W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

FQB13N10TM
FQB13N10TM
$0 $/morceau
IRF6629TRPBF
IRF3709L
IRF3709L
$0 $/morceau
IRF3709SPBF
STD4NK50ZD
STD4NK50ZD
$0 $/morceau
AOT10N60L
BSP603S2LHUMA1
IRFHM8334TRPBF-INF
MCQ60P05-TP
MCQ60P05-TP
$0 $/morceau
STP5NB40
STP5NB40
$0 $/morceau

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