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FQB13N10TM

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK

non conforme

FQB13N10TM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12.8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 180mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 450 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.75W (Ta), 65W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IRF6629TRPBF
IRF3709L
IRF3709L
$0 $/morceau
IRF3709SPBF
STD4NK50ZD
STD4NK50ZD
$0 $/morceau
AOT10N60L
BSP603S2LHUMA1
IRFHM8334TRPBF-INF
MCQ60P05-TP
MCQ60P05-TP
$0 $/morceau
STP5NB40
STP5NB40
$0 $/morceau

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