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FDD3510H

FDD3510H

FDD3510H

onsemi

MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252

FDD3510H Fiche de données

compliant

FDD3510H Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.53529 -
5,000 $0.51001 -
12,500 $0.49194 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel, Common Drain
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 80V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.3A, 2.8A
rds activé (max) à id, vgs 80mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 800pF @ 40V
puissance - max 1.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
package d'appareils du fournisseur TO-252 (DPAK)
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Numéro de pièce associé

NX1029X,115
NX1029X,115
$0 $/morceau
DMN2300UFL4-7
SLA5201
SLA5201
$0 $/morceau
AON6996
MPIC2112P
MPIC2112P
$0 $/morceau
NVMFD5873NLT1G
NVMFD5873NLT1G
$0 $/morceau
UC2705D/81278
UC2705D/81278
$0 $/morceau
DMN2036UCB4-7
SQJB70EP-T1_GE3

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