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SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

non conforme

SQJB70EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.38646 -
6,000 $0.36138 -
15,000 $0.34884 -
30,000 $0.34200 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11.3A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 95mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 220pF @ 25V
puissance - max 27W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

ALD110804SCL
SI7212DN-T1-E3
SI7212DN-T1-E3
$0 $/morceau
TT8J13TCR
TT8J13TCR
$0 $/morceau
FDS6890A
FDS6890A
$0 $/morceau
ALD1107PBL
SQ4940AEY-T1_GE3
SQ4284EY-T1_BE3
SI4904DY-T1-GE3

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