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SI7212DN-T1-E3

SI7212DN-T1-E3

SI7212DN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

non conforme

SI7212DN-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.36310 -
6,000 $1.31580 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.9A
rds activé (max) à id, vgs 36mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.6V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
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Numéro de pièce associé

TT8J13TCR
TT8J13TCR
$0 $/morceau
FDS6890A
FDS6890A
$0 $/morceau
ALD1107PBL
SQ4940AEY-T1_GE3
SQ4284EY-T1_BE3
SI4904DY-T1-GE3
TPS1120D
TPS1120D
$0 $/morceau
SI1967DH-T1-GE3

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