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FDG6306P

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FDG6306P

onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

FDG6306P Fiche de données

non conforme

FDG6306P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.15737 -
6,000 $0.14722 -
15,000 $0.13707 -
30,000 $0.12996 -
75,000 $0.12922 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 600mA
rds activé (max) à id, vgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 114pF @ 10V
puissance - max 300mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-88 (SC-70-6)
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Numéro de pièce associé

BSM080D12P2C008
DMN26D0UDJ-7
SI4900DY-T1-GE3
FDMB3900AN
FDMB3900AN
$0 $/morceau
DMN61D8LVT-7
SI6955DQ
PMPB215ENEA/F,115
FDS8958A
FDS8958A
$0 $/morceau
DMP2100UFU-13

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