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FDMS86581

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN

FDMS86581 Fiche de données

compliant

FDMS86581 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
33000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 15mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 881 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 50W (Tj)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-PQFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

PJS6416_S1_00001
NTE4153NT1G
NTE4153NT1G
$0 $/morceau
IAUZ40N06S5N050ATMA1
IPA60R650CEXKSA1
SI7113DN-T1-GE3
SCH1436-TL-W
SCH1436-TL-W
$0 $/morceau
HUF75339S3ST
FQD1N50TM
NVTFS4C08NWFTWG
NVTFS4C08NWFTWG
$0 $/morceau

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