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FDN337N

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3

FDN337N Fiche de données

compliant

FDN337N Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.13576 -
6,000 $0.12753 -
15,000 $0.11931 -
30,000 $0.10943 -
75,000 $0.10532 -
258180 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.2A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 300 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 500mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

STP55NF06L
STP55NF06L
$0 $/morceau
IPB60R165CPATMA1
AOSS62934
IPA65R065C7XKSA1
NTD4969N-1G
NTD4969N-1G
$0 $/morceau

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