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FDS6875

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onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC

FDS6875 Fiche de données

non conforme

FDS6875 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.53872 -
5,000 $0.51327 -
12,500 $0.49509 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A
rds activé (max) à id, vgs 30mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 31nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2250pF @ 10V
puissance - max 900mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMN63D8LDWQ-7
RM8205F
RM8205F
$0 $/morceau
CSD86360Q5D
CSD86360Q5D
$0 $/morceau
SQ3985EV-T1_BE3
FDS3890
FDS3890
$0 $/morceau
FF6MR12KM1BOSA1
SI1926DL-T1-BE3
MIC5015BMTR
SQJ202EP-T2_GE3

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