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FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

onsemi

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

compliant

FQD12N20LTM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.38738 -
5,000 $0.36209 -
12,500 $0.34945 -
25,000 $0.34255 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1080 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252AA
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

NTMS4N01R2
NTMS4N01R2
$0 $/morceau
SIHG22N60EF-GE3
IRFR7740TRPBF
DIT095N08
DIT095N08
$0 $/morceau
DMN3009LFVW-7
SIHL630STRL-GE3
NVMFS4C01NT1G
NVMFS4C01NT1G
$0 $/morceau
IPS70R950CEAKMA1
PMZB290UNE2YL
PMZB290UNE2YL
$0 $/morceau
STP5NK50Z
STP5NK50Z
$0 $/morceau

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