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FQPF2N60C

FQPF2N60C

FQPF2N60C

onsemi

MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

FQPF2N60C Fiche de données

compliant

FQPF2N60C Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.35000 $1.35
10 $1.19400 $11.94
100 $0.94380 $94.38
500 $0.73192 $365.96
1,000 $0.57783 -
575 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Last Time Buy
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 235 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 23W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F-3
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IRLHS6342TRPBF
SQA405CEJW-T1_GE3
SQJ456EP-T1_GE3
DMP31D7LT-13
STI14NM50N
STI14NM50N
$0 $/morceau
SIHFU310-GE3
SIHFU310-GE3
$0 $/morceau
SISS61DN-T1-GE3
STB270N4F3
STB270N4F3
$0 $/morceau
ISL9N306AS3ST
FDD9409L-F085
FDD9409L-F085
$0 $/morceau

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