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HUF75645S3ST

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HUF75645S3ST

onsemi

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

SOT-23

non conforme

HUF75645S3ST Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $2.02101 $1616.808
1,600 $1.89325 -
2,400 $1.80381 -
5,600 $1.73993 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 75A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 14mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 238 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3790 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 310W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IXTA96P085T
IXTA96P085T
$0 $/morceau
IXTN8N150L
IXTN8N150L
$0 $/morceau
IRF7855TRPBF
IXFA22N65X2
IXFA22N65X2
$0 $/morceau
FDBL0200N100
FDBL0200N100
$0 $/morceau
EPC2214
EPC2214
$0 $/morceau
DMN6140L-13
DMN6140L-13
$0 $/morceau
ISC011N03L5SATMA1
DMP3007LK3-13
IPW60R120P7XKSA1

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