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MTB6N60E1

MTB6N60E1

MTB6N60E1

onsemi

N-CHANNEL POWER MOSFET

MTB6N60E1 Fiche de données

non conforme

MTB6N60E1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

FQB13N06TM
FQB13N06TM
$0 $/morceau
IRL510STRR
IRL510STRR
$0 $/morceau
AUIRFS3806TRL
STW22NM60N
STW22NM60N
$0 $/morceau
IRF737LCL
IRF737LCL
$0 $/morceau
IXFK52N30Q
IXFK52N30Q
$0 $/morceau
IRL2203NPBF-INF
AOI4130
IRFR9120NTRL
SI7136DP-T1-GE3

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