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MUN5212DW1T1G

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MUN5212DW1T1G

onsemi

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

non conforme

MUN5212DW1T1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.04760 -
6,000 $0.04161 -
15,000 $0.03563 -
30,000 $0.03363 -
75,000 $0.03164 -
150,000 $0.02831 -
827 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 22kOhms
résistance - base émettrice (r2) 22kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 60 @ 5mA, 10V
saturation vce (max) à ib, ic 250mV @ 300µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition -
puissance - max 250mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
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Numéro de pièce associé

DDC114YU-7-F
IMD9AT108
IMD9AT108
$0 $/morceau
UMH4NFHATN
UMH4NFHATN
$0 $/morceau
PIMC32-QX
PIMC32-QX
$0 $/morceau
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
$0 $/morceau
BCR35PNH6433XTMA1
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
$0 $/morceau
PUMB11,115
PUMB11,115
$0 $/morceau
EMD22T2R
EMD22T2R
$0 $/morceau

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