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NTJD5121NT2G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363

non conforme

NTJD5121NT2G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.09315 -
6,000 $0.08820 -
15,000 $0.08078 -
30,000 $0.07583 -
75,000 $0.06840 -
150,000 $0.06705 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 295mA
rds activé (max) à id, vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.9nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 26pF @ 20V
puissance - max 250mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
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Numéro de pièce associé

SI7922DN-T1-E3
SI7922DN-T1-E3
$0 $/morceau
ZXMP6A16DN8QTA
SI1553CDL-T1-GE3
DMC2057UVT-7
SI4501BDY-T1-GE3
PJL9606_R2_00001
FDMS9408
NVMD6P02R2G
NVMD6P02R2G
$0 $/morceau
DMN3022LFG-7

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