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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 30V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 5.5A, 6.3A |
| rds activé (max) à id, vgs | 17.4mOhm @ 9A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 2.2V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 12nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 605pF @ 15V |
| puissance - max | 800mW, 810mW |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-WDFN Exposed Pad |
| package d'appareils du fournisseur | 8-WDFN (3x3) |
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