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NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

onsemi

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

compliant

NTMD6601NR2G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
60595 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 80V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.1A
rds activé (max) à id, vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 400pF @ 25V
puissance - max 600mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

MCQ4559-TP
MCQ4559-TP
$0 $/morceau
NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G
$0 $/morceau
AOTE21115C
BSO150N03
BSO150N03
$0 $/morceau
DMN3022LFG-13
FDJ1028N
QS6K1TR
QS6K1TR
$0 $/morceau
NTMD6P02R2G
NTMD6P02R2G
$0 $/morceau
DMN2005DLP4K-7

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