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NTMFS5H414NLT1G

NTMFS5H414NLT1G

NTMFS5H414NLT1G

onsemi

MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN

non conforme

NTMFS5H414NLT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,500 $1.68445 -
3,000 $1.60023 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 35A (Ta), 210A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4550 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.1W (Ta), 110W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / étui 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Numéro de pièce associé

IPP65R110CFDXKSA2
HUF76639S3S
NVMFS5C670NWFT1G
NVMFS5C670NWFT1G
$0 $/morceau
SI4463BDY-T1-GE3
FDS7098N3
STWA48N60M6
STWA48N60M6
$0 $/morceau
IPU50R950CEAKMA1
STI18N65M5
STI18N65M5
$0 $/morceau
SQD25N15-52_GE3
SIJA58ADP-T1-GE3

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