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NVB150N65S3F

NVB150N65S3F

NVB150N65S3F

onsemi

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3

compliant

NVB150N65S3F Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.37000 $4.37
500 $4.3263 $2163.15
1000 $4.2826 $4282.6
1500 $4.2389 $6358.35
2000 $4.1952 $8390.4
2500 $4.1515 $10378.75
7 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 24A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 540µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1999 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 192W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK-3 (TO-263-3)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

RS3E095BNGZETB
SIHG039N60EF-GE3
STP21N90K5
STP21N90K5
$0 $/morceau
MCP87090T-U/MF
CSD18513Q5AT
CSD18513Q5AT
$0 $/morceau
IPI80N08S406AKSA1
IXTH16N10D2
IXTH16N10D2
$0 $/morceau
2SK2341-AZ
NTP5862NG
NTP5862NG
$0 $/morceau

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