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NVBLS1D7N08H

NVBLS1D7N08H

NVBLS1D7N08H

onsemi

MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL

non conforme

NVBLS1D7N08H Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.16000 $5.16
500 $5.1084 $2554.2
1000 $5.0568 $5056.8
1500 $5.0052 $7507.8
2000 $4.9536 $9907.2
2500 $4.902 $12255
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 33A (Ta), 241.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 479µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 121 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7675 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-HPSOF
paquet / étui 8-PowerSFN
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Numéro de pièce associé

GKI07113
GKI07113
$0 $/morceau
IAUT150N10S5N035ATMA1
SQD50034E_GE3
SQD50034E_GE3
$0 $/morceau
DMN4800LSS-13
MTD2N40E
MTD2N40E
$0 $/morceau
APT6029SLLG
TT8U2TR
TT8U2TR
$0 $/morceau
BSC080P03LSGAUMA1
IPD65R660CFDATMA1
PSMN6R0-30YL,115

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