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NVH4L020N120SC1

NVH4L020N120SC1

NVH4L020N120SC1

onsemi

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

SOT-23

non conforme

NVH4L020N120SC1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $40.33000 $40.33
500 $39.9267 $19963.35
1000 $39.5234 $39523.4
1500 $39.1201 $58680.15
2000 $38.7168 $77433.6
2500 $38.3135 $95783.75
2250 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 1200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 102A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 20V
rds activé (max) à id, vgs 28mOhm @ 60A, 20V
vgs(th) (max) à id 4.3V @ 20mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 220 nC @ 20 V
vgs (max) +25V, -15V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2943 pF @ 800 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 510W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247-4L
paquet / étui TO-247-4
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Numéro de pièce associé

IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV
$0 $/morceau
IRFR014TRPBF
IRFR014TRPBF
$0 $/morceau
IRFP9240
IRFP9240
$0 $/morceau
PJL9438A_R2_00001
IPD50N03S2L06ATMA1
PSMN012-25YLC,115
PSMN012-25YLC,115
$0 $/morceau
IXFK44N50P
IXFK44N50P
$0 $/morceau
STFI26N60M2
STFI26N60M2
$0 $/morceau

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