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NVH4L045N065SC1

NVH4L045N065SC1

NVH4L045N065SC1

onsemi

SIC MOS TO247-4L 650V

compliant

NVH4L045N065SC1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.99047 $6.99047
500 $6.9205653 $3460.28265
1000 $6.8506606 $6850.6606
1500 $6.7807559 $10171.13385
2000 $6.7108512 $13421.7024
2500 $6.6409465 $16602.36625
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 55A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V, 18V
rds activé (max) à id, vgs 50mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (max) à id 4.3V @ 8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 18 V
vgs (max) +22V, -8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1870 pF @ 325 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 187W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247-4L
paquet / étui TO-247-4
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Numéro de pièce associé

DMT6004SCT
DMT6004SCT
$0 $/morceau
AOD482
CSD18510Q5B
CSD18510Q5B
$0 $/morceau
IPI120N06S402AKSA2
EPC2030
EPC2030
$0 $/morceau
PJS6412_S1_00001
IRFSL3006PBF
FQA55N25
FQA55N25
$0 $/morceau
DMN3020UTS-13
SI1443EDH-T1-GE3

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