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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Obsolete |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 250 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 600mA (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 2.5V, 4.5V |
rds activé (max) à id, vgs | 6.5Ohm @ 300mA, 4.5V |
vgs(th) (max) à id | 1.3V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 2.1 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±10V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 140 pF @ 20 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 3.5W (Tc) |
température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | SOT-89/PCP-1 |
paquet / étui | TO-243AA |
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