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PJD8NA50_R2_00001

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PJD8NA50_R2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJD8NA50_R2_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.27000 $1.27
500 $1.2573 $628.65
1000 $1.2446 $1244.6
1500 $1.2319 $1847.85
2000 $1.2192 $2438.4
2500 $1.2065 $3016.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 900mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 826 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252AA
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

SIHF540STRL-GE3
SIRA18DP-T1-GE3
DMN3053L-7
DMN3053L-7
$0 $/morceau
IRF9640PBF
IRF9640PBF
$0 $/morceau
FQD5N60CTM
FQD5N60CTM
$0 $/morceau
IPT020N10N5ATMA1
CSD15380F3T
CSD15380F3T
$0 $/morceau
IMW65R027M1HXKSA1
HUFA76639P3

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