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PJE8402_R1_00001

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PJE8402_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJE8402_R1_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 700mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 150mOhm @ 700mA, 4,5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 92 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 300mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-523
paquet / étui SOT-523
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Numéro de pièce associé

SI1480DH-T1-GE3
NX3020NAK,215
NX3020NAK,215
$0 $/morceau
RM830
RM830
$0 $/morceau
CSD18541F5T
CSD18541F5T
$0 $/morceau
SFI9Z14TU
FQI7N10LTU
NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
$0 $/morceau
ISC007N04NM6ATMA1

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