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PJQ4448P-AU_R2_000A1

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PJQ4448P-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

non conforme

PJQ4448P-AU_R2_000A1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A (Ta), 42A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 11mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1040 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.4W (Ta), 42W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DFN3333-8
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

FDD6682
FDD6682
$0 $/morceau
IXTK120P20T
IXTK120P20T
$0 $/morceau
IPT65R033G7XTMA1
ZVN4210GTA
ZVN4210GTA
$0 $/morceau
AUIRF3805STRL
NTE2973
NTE2973
$0 $/morceau
IXTH80N075L2
IXTH80N075L2
$0 $/morceau
APT10035JFLL
IMZA65R027M1HXKSA1

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