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PJQ5606_R2_00001

PJQ5606_R2_00001

PJQ5606_R2_00001

30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

compliant

PJQ5606_R2_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.83000 $0.83
500 $0.8217 $410.85
1000 $0.8134 $813.4
1500 $0.8051 $1207.65
2000 $0.7968 $1593.6
2500 $0.7885 $1971.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel Complementary
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
puissance - max 1.7W (Ta), 21W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerTDFN
package d'appareils du fournisseur DFN5060B-8
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Numéro de pièce associé

FDS6975
FDS6975
$0 $/morceau
DMN33D8LV-7
DMN33D8LV-7
$0 $/morceau
SQJ958EP-T1_GE3
MSCSM120HM31CT3AG
AO4627
BSC155N06NDATMA1
GE17042BCA3
GE17042BCA3
$0 $/morceau
SH8MA4TB1
SH8MA4TB1
$0 $/morceau
SIZF640DT-T1-GE3

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