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SQJ958EP-T1_GE3

SQJ958EP-T1_GE3

SQJ958EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

non conforme

SQJ958EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.43296 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 34.9mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1075pF @ 30V
puissance - max 35W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

MSCSM120HM31CT3AG
AO4627
BSC155N06NDATMA1
GE17042BCA3
GE17042BCA3
$0 $/morceau
SH8MA4TB1
SH8MA4TB1
$0 $/morceau
SIZF640DT-T1-GE3
ECH8649-TL-H
ECH8649-TL-H
$0 $/morceau
SIZ200DT-T1-GE3
NTMD4820NR2G
NTMD4820NR2G
$0 $/morceau

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