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SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

compliant

SIZ200DT-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.48708 -
6,000 $0.46421 -
15,000 $0.44788 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
puissance - max 4.3W (Ta), 33W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerWDFN
package d'appareils du fournisseur 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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Numéro de pièce associé

NTMD4820NR2G
NTMD4820NR2G
$0 $/morceau
SIZF906BDT-T1-GE3
SH8K41GZETB
SH8K41GZETB
$0 $/morceau
SIZ340BDT-T1-GE3
FSS273-TL-E-SY
FSS273-TL-E-SY
$0 $/morceau
SH8K4TB1
SH8K4TB1
$0 $/morceau
SQJ570EP-T1_GE3
QS8M51TR
QS8M51TR
$0 $/morceau
AON6884

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