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SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

non conforme

SQJ570EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Tc), 9.5A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
puissance - max 27W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

QS8M51TR
QS8M51TR
$0 $/morceau
AON6884
CAR600M17HN6
CAR600M17HN6
$0 $/morceau
NVMFD5C680NLWFT1G
NVMFD5C680NLWFT1G
$0 $/morceau
IRF7309TRPBF
NTMFD6H852NLT1G
NTMFD6H852NLT1G
$0 $/morceau
NTMD6N03R2
NTMD6N03R2
$0 $/morceau
DMN2016UFX-7

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