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PJW1NA60B_R2_00001

PJW1NA60B_R2_00001

PJW1NA60B_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJW1NA60B_R2_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 400mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 210 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.3W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-223
paquet / étui TO-261-4, TO-261AA
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Numéro de pièce associé

SQ3418AEEV-T1_GE3
BUK9Y1R3-40HX
BUK9Y1R3-40HX
$0 $/morceau
SI3099-TP
SI3099-TP
$0 $/morceau
NVMFS5831NLWFT1G
NVMFS5831NLWFT1G
$0 $/morceau
APTM20DAM08TG
MCTL300N10Y-TP
SI3401-TP
SI3401-TP
$0 $/morceau
AONR21305C

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