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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
fonctionnalité FET | Silicon Carbide (SiC) |
Tension drain-source (vdss) | 1200V (1.2kV) |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 100A (Tc) |
rds activé (max) à id, vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
vgs(th) (max) à id | 5V @ 10mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 500nC @ 20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 10200pF @ 800V |
puissance - max | 900W |
température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
type de montage | Chassis Mount |
paquet / étui | Module |
package d'appareils du fournisseur | Module |
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