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2N7002KD1

2N7002KD1

2N7002KD1

Rectron USA

MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3

2N7002KD1 Fiche de données

compliant

2N7002KD1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.03000 $0.03
500 $0.0297 $14.85
1000 $0.0294 $29.4
1500 $0.0291 $43.65
2000 $0.0288 $57.6
2500 $0.0285 $71.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 350mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) à id 1.9V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 50 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 350mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DFN1006-3
paquet / étui SC-101, SOT-883
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Numéro de pièce associé

DMN30H4D0L-7
SUD08P06-155L-GE3
FDS6375
FDS6375
$0 $/morceau
RS1G180MNTB
RS1G180MNTB
$0 $/morceau
NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
$0 $/morceau
IXFH20N85X
IXFH20N85X
$0 $/morceau
IRF9Z14STRLPBF
IRF9Z14STRLPBF
$0 $/morceau
DN2535N3-G
DN2535N3-G
$0 $/morceau

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