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RM35N30DF

RM35N30DF

RM35N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 35A 8DFN

RM35N30DF Fiche de données

compliant

RM35N30DF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 35A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2330 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 40W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

BUK7E1R6-30E,127
BUK7E1R6-30E,127
$0 $/morceau
IXTP120P065T
IXTP120P065T
$0 $/morceau
NTMTS0D7N04CTXG
NTMTS0D7N04CTXG
$0 $/morceau
IRFW730BTM
STD12N60DM6
STD12N60DM6
$0 $/morceau
IXTP100N15X4
IXTP100N15X4
$0 $/morceau
3N163 DIE
R6011KND3TL1
R6011KND3TL1
$0 $/morceau
APT22F80B
APT22F80B
$0 $/morceau
SIHB5N80AE-GE3
SIHB5N80AE-GE3
$0 $/morceau

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