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RM45N60DF

RM45N60DF

RM45N60DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 45A 8DFN

RM45N60DF Fiche de données

compliant

RM45N60DF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 45A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 13mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2180 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 60W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

SIR184LDP-T1-RE3
SCT3060ALHRC11
FQD7P20TM
FQD7P20TM
$0 $/morceau
FDS3570
FDS3570
$0 $/morceau
SISH114ADN-T1-GE3
ISL9N304AP3
STP52P3LLH6
STP52P3LLH6
$0 $/morceau
SI4430BDY-T1-E3
FDP8443
FDP8443
$0 $/morceau
SI2342DS-T1-BE3

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