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HAT1130RWS-E

HAT1130RWS-E

HAT1130RWS-E

P-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

HAT1130RWS-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.08000 $1.08
500 $1.0692 $534.6
1000 $1.0584 $1058.4
1500 $1.0476 $1571.4
2000 $1.0368 $2073.6
2500 $1.026 $2565
2170 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

BSC074N15NS5ATMA1
AON7466
FDMC86320
FDMC86320
$0 $/morceau
PSMN5R3-25MLDX
STLD200N4F6AG
RSR015P06HZGTL
IRF7201TRPBF
STB180N55F3
STB180N55F3
$0 $/morceau
RQ3E120GNTB
RQ3E120GNTB
$0 $/morceau
IXFX80N50Q3
IXFX80N50Q3
$0 $/morceau

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