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TBB1012MMTL-E

TBB1012MMTL-E

TBB1012MMTL-E

RF N-CHANNEL MOSFET

non conforme

TBB1012MMTL-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
54000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

IRFF221
IRFF221
$0 $/morceau
SI4164DY-T1-GE3
FQU13N06LTU-WS
FQU13N06LTU-WS
$0 $/morceau
STL8N10LF3
STL8N10LF3
$0 $/morceau
SISS32DN-T1-GE3
IPT60R022S7XTMA1
IRFP3306PBF
CSD19538Q3AT
CSD19538Q3AT
$0 $/morceau
NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G
$0 $/morceau

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