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EMB3T2R

EMB3T2R

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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMB3T2R Fiche de données

non conforme

EMB3T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.06462 -
16,000 $0.05744 -
24,000 $0.05385 -
56,000 $0.05026 -
14604 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 4.7kOhms
résistance - base émettrice (r2) -
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
courant - coupure du collecteur (max) -
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

BCR185SH6327
UP0339700L
NSBA123JDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
$0 $/morceau
UP03397G0L
NSM21356DW6T1G
NSM21356DW6T1G
$0 $/morceau
PEMH4,115
PEMH4,115
$0 $/morceau
UMH33NTN
UMH33NTN
$0 $/morceau
SMUN5115DW1T1G
SMUN5115DW1T1G
$0 $/morceau

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