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EMG11T2R

EMG11T2R

EMG11T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

EMG11T2R Fiche de données

non conforme

EMG11T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.09180 -
16,000 $0.08370 -
24,000 $0.07830 -
56,000 $0.07560 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 2.2kOhms
résistance - base émettrice (r2) 47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 80 @ 10mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
package d'appareils du fournisseur EMT5
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Numéro de pièce associé

MUN5212DW1T1G
MUN5212DW1T1G
$0 $/morceau
DDC114YU-7-F
IMD9AT108
IMD9AT108
$0 $/morceau
UMH4NFHATN
UMH4NFHATN
$0 $/morceau
PIMC32-QX
PIMC32-QX
$0 $/morceau
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
$0 $/morceau
BCR35PNH6433XTMA1
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
$0 $/morceau
PUMB11,115
PUMB11,115
$0 $/morceau

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