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QH8MA3TCR

QH8MA3TCR

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MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

QH8MA3TCR Fiche de données

compliant

QH8MA3TCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.24940 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A, 5.5A
rds activé (max) à id, vgs 29mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.2nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 300pF @ 15V
puissance - max 1.5W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur TSMT8
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Numéro de pièce associé

SIZ348DT-T1-GE3
6LP04CH-TL-E-SY
6LP04CH-TL-E-SY
$0 $/morceau
NVMFD5C446NWFT1G
NVMFD5C446NWFT1G
$0 $/morceau
SI4214DDY-T1-E3
NVMD6N03R2G
NVMD6N03R2G
$0 $/morceau
2N7002KDW-TP
DF23MR12W1M1PB11BPSA1
SP8M10FRATB
SP8M10FRATB
$0 $/morceau
AUIRF7342QTR

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