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R6018JNJGTL

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MOSFET N-CH 600V 18A LPTS

compliant

R6018JNJGTL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.46000 $4.46
500 $4.4154 $2207.7
1000 $4.3708 $4370.8
1500 $4.3262 $6489.3
2000 $4.2816 $8563.2
2500 $4.237 $10592.5
826 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V
rds activé (max) à id, vgs 286mOhm @ 9A, 15V
vgs(th) (max) à id 7V @ 4.2mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1300 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 220W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur LPTS
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

SIHP14N60E-BE3
SIHP14N60E-BE3
$0 $/morceau
FK4B01100L1
FDS6670A
FDS6670A
$0 $/morceau
FQPF6N80T
2SK2956-E
IRLD110PBF
IRLD110PBF
$0 $/morceau
BUK7226-75A118
BUK7226-75A118
$0 $/morceau
FDP7042L
IXTA200N055T2
IXTA200N055T2
$0 $/morceau

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