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RF4C100BCTCR

RF4C100BCTCR

RF4C100BCTCR

MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8

compliant

RF4C100BCTCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.89000 $0.89
500 $0.8811 $440.55
1000 $0.8722 $872.2
1500 $0.8633 $1294.95
2000 $0.8544 $1708.8
2500 $0.8455 $2113.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.2V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1660 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur HUML2020L8
paquet / étui 8-PowerUDFN
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Numéro de pièce associé

IXFR44N50Q
IXFR44N50Q
$0 $/morceau
IPB060N15N5ATMA1
AO4407A
SIRA04DP-T1-GE3
SISH116DN-T1-GE3
EKI10198
EKI10198
$0 $/morceau
STD95N4F3
STD95N4F3
$0 $/morceau
IRFU5505PBF
AOV11S60

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