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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | P-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 30 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 3A (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 4V, 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 75mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 5.2 nC @ 5 V |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 480 pF @ 10 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 700mW (Ta) |
température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | TSMT3 |
paquet / étui | SC-96 |
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